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聯(lián)電沖刺硅光子布局

訊石光通訊網(wǎng)   發(fā)布時(shí)間:2025/12/9 11:06:55  編者:iccsz
摘要：晶圓代工廠聯(lián)電昨(8)日宣布與比利時(shí)微電子研究中心(imec)簽署技術(shù)授權(quán)協(xié)議，取得imec iSiPP300硅光子制程，聯(lián)電將推出12寸硅光子平臺(tái)。

  ICC訊 晶圓代工廠聯(lián)電昨(8)日宣布與比利時(shí)微電子研究中心(imec)簽署技術(shù)授權(quán)協(xié)議，取得imec iSiPP300硅光子制程，該制程具備共封裝光學(xué)(CPO)相容性，借由此次授權(quán)合作，聯(lián)電將推出12寸硅光子平臺(tái)，瞄準(zhǔn)下一代高速連接應(yīng)用市場(chǎng)。

  聯(lián)電表示，AI數(shù)據(jù)負(fù)載日益增加，傳統(tǒng)銅互連面臨瓶頸，硅光子技術(shù)以光傳輸數(shù)據(jù)，成為資料中心、高效能運(yùn)算及網(wǎng)路基礎(chǔ)設(shè)施在超高頻寬、低延遲及高能源效率的解決方案。聯(lián)電將結(jié)合imec經(jīng)驗(yàn)證的12寸硅光子制程技術(shù)、加上聯(lián)電絕緣層上覆硅(SOI)晶圓制程，為客戶提供高度可擴(kuò)展的光子晶片(PIC)平臺(tái)。

  資深副總經(jīng)理洪圭鈞指出，取得imec最先進(jìn)的硅光子制程技術(shù)授權(quán)，將加速聯(lián)電12寸硅光子平臺(tái)的發(fā)展進(jìn)程。聯(lián)電正與多家新客戶合作，預(yù)計(jì)在此平臺(tái)上提供用于光收發(fā)器的光子晶片，并于2026及2027年展開(kāi)風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。此外，聯(lián)電未來(lái)系統(tǒng)架構(gòu)將朝CPO與光學(xué)I/O等更高整合度的方向邁進(jìn)，提供資料中心內(nèi)部及跨資料中心需要的高頻寬、低能耗且高度可擴(kuò)展的光互連應(yīng)用解決方案。

  IC-Link by imec副總裁Philippe Absil表示，iSiPP300平臺(tái)具備精巧且高效能的元件，包括微環(huán)型調(diào)變器，以及鍺硅(GeSi)電致吸收調(diào)變器(EAM)，搭配多樣化低損耗光纖介面及3D封裝模組。與聯(lián)電的合作有助擴(kuò)大硅光子解決方案市場(chǎng)，加速下世代運(yùn)算系統(tǒng)的導(dǎo)入。

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