聯(lián)電沖刺硅光子布局

  ICC訊 晶圓代工廠聯(lián)電昨(8)日宣布與比利時微電子研究中心(imec)簽署技術授權協(xié)議，取得imec iSiPP300硅光子制程，該制程具備共封裝光學(CPO)相容性，借由此次授權合作，聯(lián)電將推出12寸硅光子平臺，瞄準下一代高速連接應用市場。

  聯(lián)電表示，AI數(shù)據(jù)負載日益增加，傳統(tǒng)銅互連面臨瓶頸，硅光子技術以光傳輸數(shù)據(jù)，成為資料中心、高效能運算及網(wǎng)路基礎設施在超高頻寬、低延遲及高能源效率的解決方案。聯(lián)電將結合imec經(jīng)驗證的12寸硅光子制程技術、加上聯(lián)電絕緣層上覆硅(SOI)晶圓制程，為客戶提供高度可擴展的光子晶片(PIC)平臺。

  資深副總經(jīng)理洪圭鈞指出，取得imec最先進的硅光子制程技術授權，將加速聯(lián)電12寸硅光子平臺的發(fā)展進程。聯(lián)電正與多家新客戶合作，預計在此平臺上提供用于光收發(fā)器的光子晶片，并于2026及2027年展開風險試產(chǎn)。此外，聯(lián)電未來系統(tǒng)架構將朝CPO與光學I/O等更高整合度的方向邁進，提供資料中心內(nèi)部及跨資料中心需要的高頻寬、低能耗且高度可擴展的光互連應用解決方案。

  IC-Link by imec副總裁Philippe Absil表示，iSiPP300平臺具備精巧且高效能的元件，包括微環(huán)型調(diào)變器，以及鍺硅(GeSi)電致吸收調(diào)變器(EAM)，搭配多樣化低損耗光纖介面及3D封裝模組。與聯(lián)電的合作有助擴大硅光子解決方案市場，加速下世代運算系統(tǒng)的導入。