ICC訊 9月10-12日CIOE中國(guó)光博會(huì)期間,訊石采訪了作為國(guó)內(nèi)高功率半導(dǎo)體激光芯片領(lǐng)域的領(lǐng)軍者度亙核芯,度亙核芯一直專注于高端激光芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和制造,堅(jiān)持自主創(chuàng)新,并建立了覆蓋半導(dǎo)體激光器芯片設(shè)計(jì)、材料生長(zhǎng)、芯片制程、器件封裝、測(cè)試表征及可靠性與失效分析的全鏈條、自主可控的工程化研發(fā)平臺(tái)與量產(chǎn)制造能力。
度亙核芯基于強(qiáng)大的芯片設(shè)計(jì)與制造能力,已成功開(kāi)發(fā)覆蓋600~1700nm全波段的七大系列產(chǎn)品:高功率半導(dǎo)體激光芯片、光通信芯片、單模光纖耦合模塊、多模高功率光纖耦合模塊、半導(dǎo)體激光疊陣模塊、VCSEL模組、半導(dǎo)體激光光源系統(tǒng)等。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)加工、智能感知、光通信、醫(yī)療和科學(xué)研究等眾多領(lǐng)域,為各行業(yè)客戶提供世界專業(yè)品質(zhì)的光電子產(chǎn)品與解決方案。
度亙核芯專訪合影
跟隨訊石專訪問(wèn)答,讓我們一起了解度亙核芯。
Q:據(jù)了解度亙核芯在 2025 年度密集推出了多款新產(chǎn)品,能否先為我們整體介紹一下今年的新品矩陣?
A: 2025 年我們緊跟全球光電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì),聚焦高端激光芯片及模塊的技術(shù)突破與場(chǎng)景落地,先后推出多款核心系列新品,包括單基橫模的高功率808nm和830nm半導(dǎo)體激光芯片和光纖耦合模塊、1310nm 70mW DFB激光芯片、數(shù)通類VCSEL& PD、SOA等最新產(chǎn)品,滿足前沿科研、光通信、生物醫(yī)療、工業(yè)加工等核心場(chǎng)景需求。
Q:在這些新品中,808nm系列作為經(jīng)典波長(zhǎng)產(chǎn)品,此次升級(jí)有哪些關(guān)鍵突破?其市場(chǎng)定位是什么?
A: 808nm 作為激光領(lǐng)域的“黃金波長(zhǎng)”,此次我們重點(diǎn)強(qiáng)化了“單基橫模高輸出功率+高可靠性”雙核心優(yōu)勢(shì) ——采用突破性的芯片與器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及工藝優(yōu)化,大幅改善了功率衰退現(xiàn)象,保障了單模光纖耦合模塊在400mW條件下的可靠工作,率先在國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化突破,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。從市場(chǎng)應(yīng)用來(lái)看,該系列產(chǎn)品主要為前沿科學(xué)研究、高端光通信、工業(yè)加工及智能感知系統(tǒng)提供核心泵浦動(dòng)力。
Q:830nm 單模光纖耦合模塊采用了14pin蝶形封裝,這款產(chǎn)品的技術(shù)獨(dú)特性體現(xiàn)在哪里?為何說(shuō)它填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白?
A: 針對(duì)830nm單模激光芯片的特點(diǎn),系統(tǒng)優(yōu)化了外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與器件工藝制備,成功實(shí)現(xiàn)了830nm高功率、高效率激光輸出;獨(dú)特的芯片腔面處理技術(shù),突破了短波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光芯片功率退化困境,器件具有優(yōu)異的長(zhǎng)期可靠性。在此基礎(chǔ)上通過(guò)定制化光學(xué)設(shè)計(jì)與 14pin 蝶形封裝工藝,不僅實(shí)現(xiàn)了高轉(zhuǎn)換效率、高輸出功率,更關(guān)鍵的是保證了優(yōu)異的單模特性與可靠性,實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定的生產(chǎn),完全滿足高精度應(yīng)用場(chǎng)景需求,成功填補(bǔ)我國(guó)在 “特殊波長(zhǎng)單模光纖耦合模塊”領(lǐng)域的技術(shù)空白。
Q:1310nm 70mW DFB 激光芯片瞄準(zhǔn)硅光光源與數(shù)據(jù)中心市場(chǎng),這款產(chǎn)品針對(duì)該領(lǐng)域需求做了哪些定制化設(shè)計(jì)?
A:1310nm是數(shù)據(jù)中心光互聯(lián)、硅光芯片的核心波長(zhǎng),度亙核芯“1310nm 70mW DFB激光芯片”產(chǎn)品圍繞 “高功率、寬溫域、高兼容性”三大核心需求設(shè)計(jì):首先在 25~75℃的寬溫度范圍內(nèi),可穩(wěn)定實(shí)現(xiàn) 70mW出光功率,覆蓋數(shù)據(jù)中心機(jī)房的極端溫度環(huán)境;其次采用掩埋異質(zhì)結(jié)(BH)結(jié)構(gòu),不僅降低了閾值電流,還實(shí)現(xiàn)了對(duì)稱遠(yuǎn)場(chǎng)發(fā)散角,與硅光芯片的耦合效率提升至 85% 以上,大幅降低光互聯(lián)系統(tǒng)的插損;同時(shí)高電光轉(zhuǎn)換效率設(shè)計(jì)可減少模塊功耗,符合數(shù)據(jù)中心“低碳節(jié)能”的發(fā)展趨勢(shì)。目前該產(chǎn)品在功率、效率、穩(wěn)定性等維度均實(shí)現(xiàn)行業(yè)突破,未來(lái)將成為數(shù)據(jù)中心 400G/800G 光模塊的核心光源選擇。
Q:數(shù)通類VCSEL& PD主要面向哪些細(xì)分市場(chǎng)?技術(shù)優(yōu)勢(shì)是什么?
A: 數(shù)通類 VCSEL&PD 產(chǎn)品是我們針對(duì)高速數(shù)據(jù)傳輸領(lǐng)域推出的重要品類,在參數(shù)配置上充分貼合行業(yè)需求:波長(zhǎng)范圍全面覆蓋850nm 和 980nm兩大主流數(shù)通波長(zhǎng),可適配不同傳輸距離與帶寬需求;速率范圍實(shí)現(xiàn)14G、25G、56G、100G全檔位覆蓋。數(shù)通VCSEL具有高調(diào)制帶寬、低相對(duì)強(qiáng)度噪聲(RIN)及通過(guò)嚴(yán)格的可靠性驗(yàn)證的核心優(yōu)勢(shì);PD則以高響應(yīng)度、寬工作帶寬,支撐高速光通信與光傳感的接收環(huán)節(jié)。通過(guò)“光源+探測(cè)器”組合形成鏈路閉環(huán),為下一代光通信網(wǎng)絡(luò)、智能車(chē)載系統(tǒng)提供高性能、高可靠的“芯”支撐。從應(yīng)用場(chǎng)景來(lái)看,一是AI 數(shù)據(jù)中心,為海量數(shù)據(jù)的高速交互提供底層光連接支持,助力 AI 算力高效調(diào)度;二是車(chē)載光通信,滿足車(chē)載場(chǎng)景下高可靠性、低延遲的數(shù)據(jù)傳輸需求,適配智能駕駛中的多傳感器數(shù)據(jù)融合;三是HDMI高清傳輸,為超高清視頻信號(hào)的長(zhǎng)距離、低損耗傳輸提供解決方案,提升影音設(shè)備的連接體驗(yàn)。
Q:?jiǎn)文F窬軅鞲蠽CSEL芯片主要面向哪些細(xì)分市場(chǎng)?技術(shù)優(yōu)勢(shì)是什么?
A: 隨著工業(yè)自動(dòng)化、精密制造、機(jī)器人技術(shù)和消費(fèi)電子等應(yīng)用領(lǐng)域的逐步發(fā)展,對(duì)高精密傳感技術(shù)需求已經(jīng)愈加旺盛,具有低功耗、高波長(zhǎng)穩(wěn)定性的VCSEL逐漸成為精密傳感方案光源的創(chuàng)新選擇,然而傳統(tǒng)VCSEL受限于多橫模和偏振隨機(jī)特性,難以滿足精密傳感技術(shù)對(duì)于穩(wěn)定性和精密的高要求。單模偏振VCSEL不僅具備VCSEL低功耗和波長(zhǎng)穩(wěn)定的特性,而且成功實(shí)現(xiàn)單模和偏振穩(wěn)定輸出,提高了光束質(zhì)量,為精密傳感領(lǐng)域的應(yīng)用開(kāi)辟了新的可能。度亙依托自主工藝平臺(tái),成功推出單模偏振VCSEL芯片,芯片覆蓋760nm和850nm波段,兼具高功率和單模偏振穩(wěn)定特性,為精密感知技術(shù)跨越提供新助力。850nm單模偏振VCSEL,適用于工業(yè)測(cè)距與測(cè)速以及高精密三維感測(cè)。760nm單模偏振VCSEL,適用于氧氣傳感。
Q:1550nm SOA系列芯片與模塊,這兩款產(chǎn)品主要面向哪些細(xì)分市場(chǎng)?技術(shù)優(yōu)勢(shì)是什么?
A:采用度亙自研SOA芯片和低應(yīng)力14pin蝶形封裝技術(shù),對(duì)C波段的小信號(hào)放大具有高增益、低噪聲等特性,通過(guò)獨(dú)有的耦合封裝技術(shù),具有高效率、高穩(wěn)定性,可在5℃至65℃工作,主要應(yīng)用于光纖傳感、激光雷達(dá)和相干通信系統(tǒng)中的信號(hào)放大系統(tǒng)等場(chǎng)景。
Q:高功率多模1470&1550nm激光芯片,這兩款產(chǎn)品主要面向哪些細(xì)分市場(chǎng)?技術(shù)優(yōu)勢(shì)是什么?
A: 面向InP基長(zhǎng)波長(zhǎng)高功率激光芯片在醫(yī)療方面的領(lǐng)域,開(kāi)發(fā)高功率多模1470&1550nm激光芯片。在生物醫(yī)療領(lǐng)域,1470&1550nm激光其憑借安全無(wú)創(chuàng)、恢復(fù)期短、并發(fā)癥少、風(fēng)險(xiǎn)低等優(yōu)勢(shì),不斷被應(yīng)用于眼科、皮膚科、神經(jīng)外科、靜脈曲張治療、前列腺疾病、泌尿系統(tǒng)腫瘤治療等場(chǎng)景,深受醫(yī)療界認(rèn)可。度亙核芯推出1470nm和1550nm兩大波長(zhǎng)系列芯片,形成了5.5W、6.5W、7.5W等系列產(chǎn)品。在芯片開(kāi)發(fā)的基礎(chǔ)上,采用自主開(kāi)發(fā)的高熱導(dǎo)率熱沉和先進(jìn)的共晶技術(shù),封裝器件COS單管芯片具備高輸出功率、高電光轉(zhuǎn)換效率、高可靠性等優(yōu)勢(shì)。同時(shí),可根據(jù)客戶需求,提供光纖耦合模塊、陣列封裝器件等系列產(chǎn)。