創(chuàng)新功率器件構建可持續(xù)未來 ——三菱電機即將亮相PCIM Asia 2025

  ICC訊 在“雙碳”戰(zhàn)略目標驅動下，功率半導體正成為高能效家電與新能源汽車發(fā)展的核心引擎。2025年9月，三菱電機將攜最新一代功率半導體產(chǎn)品亮相 PCIM Asia 2025(上海)，全面展示其在SiC MOSFET、IGBT等前沿器件上的創(chuàng)新成果，并于 9月24日舉辦三菱電機半導體媒體見面會，與行業(yè)共同探討功率半導體技術如何助力綠色未來。

  本屆PCIM展會上，三菱電機將重點展出三大明星產(chǎn)品：

  面向大容量家電的SiC SLIMDIP? 功率半導體模塊

  作為三菱電機首款面向家電應用的SiC SLIMDIP?模塊，該系列包括 全SiC DIPIPM?與混合SiC DIPIPM? 兩類創(chuàng)新設計：

  全SiC SLIMDIP?

  內(nèi)置專為SLIMDIP?封裝優(yōu)化的SiC-MOSFET芯片，能夠在家電應用中顯著提升輸出功率與能效。該方案有效降低功率損耗，為空調(diào)等家電提供高效解決方案。

  混合SiC SLIMDIP?

  通過同一IC驅動并聯(lián)的SiC MOSFET(低電流下具備低導通電壓特性)和Si RC-IGBT(高電流下保持優(yōu)異導通特性)，實現(xiàn)低功率損耗與穩(wěn)定性能兼顧。

  這一創(chuàng)新架構，使家電廠商在追求節(jié)能的同時，也能保持高可靠性與成本競爭力。

  該系列產(chǎn)品為家電節(jié)能升級注入全新動力，進一步推動家庭用能與社會能源的綠色轉型。

  第8代IGBT 模塊

  三菱電機全新推出的第8代IGBT模塊，重點突破在于更高功率密度、更低損耗、更優(yōu)散熱：

  技術創(chuàng)新

  · 采用分段式溝槽柵結構，降低導通損耗;

  · 芯片背面等離子體層結構減少厚度，進一步優(yōu)化開關特性;

  · 擴大芯片面積，有效降低結殼熱阻。

  性能提升

  · 第8代LV100封裝產(chǎn)品：由第7代的1200V/1200A提升至 1200V/1800A;

  · 第8代NX封裝規(guī)劃開發(fā)5款不同規(guī)格產(chǎn)品，包括 1000A/1200V半橋、800~1000A/1200V Split-NPC(半橋+鉗位二極管) 等。

  憑借更強的電流承載力與熱管理能力，第8代IGBT模塊可充分適配高功率場景下的性能需求，將廣泛應用于新能源發(fā)電、軌道交通、工業(yè)電機驅動等高功率場景，為用戶提供更高效可靠的解決方案。

  面向電動汽車的 J3 系列 SiC-MOSFET 功率半導體模塊

  隨著電動汽車對高功率密度與高可靠性需求的提升，三菱電機重磅推出 J3系列SiC-MOSFET功率半導體模塊，包括：

  J3-T-PM半橋模塊

  采用緊湊的第3代T-PM封裝，具備高散熱能力與低熱阻特性;

  內(nèi)置高可靠性SiC-MOSFET芯片，獨特溝槽柵設計可抑制Vth漂移與損耗退化;

  適配逆變器小型化需求，并可多模塊并聯(lián)，擴展功率范圍。

  J3-HEXA 全橋模塊

  可覆蓋電動車不同容量等級的逆變器應用;

  支持高功率電驅系統(tǒng)，滿足電動車高速運行下電驅系統(tǒng)的穩(wěn)定性需求。

  J3繼電器模塊

  基于J3-T-PM緊湊型封裝和溝槽柵SiC MOSFET的超低損耗，專為電池斷路單元及切換/斷開回路設計;

  提供雙向與單向開關兩種結構，內(nèi)置快速短路保護，實現(xiàn)電動車電控系統(tǒng)的高安全性。

  J3系列憑借高能量密度與高擴展性，為新能源汽車的輕量化、小型化與高性能提供堅實支撐。

  媒體見面會預告

  主題：創(chuàng)新功率器件構建可持續(xù)未來

  時間：2025年9月24日14:00

  地點：上海卓美亞喜瑪拉雅酒店

  屆時，三菱電機將攜研發(fā)專家及行業(yè)合作伙伴，共同分享三菱電機功率半導體的最新成果、功率半導體技術的未來趨勢與應用展望。