國(guó)科光芯精彩亮相2025 CIOE，硅光與TFLN異質(zhì)集成芯片引行業(yè)關(guān)注

  ICC訊 2025年9月10日至12日，第26屆中國(guó)國(guó)際光電博覽會(huì)（CIOE）在深圳國(guó)際會(huì)展中心成功舉辦。國(guó)科光芯（海寧）科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“國(guó)科光芯”）在本次展會(huì)中，重點(diǎn)展出的400G/800G/1.6T高速硅光及TFLN異質(zhì)集成芯片產(chǎn)品，同時(shí)，國(guó)科光芯聯(lián)合KEYSIGHT 展出現(xiàn)場(chǎng)演示1.6T DR8 Tx-PIC ，眾多行業(yè)客戶、合作伙伴及技術(shù)專家到場(chǎng)參觀，并受到廣泛關(guān)注。

  國(guó)科光芯CIOE 2025展臺(tái)（11C61）

  CSPC光芯片產(chǎn)品現(xiàn)場(chǎng)展示

   產(chǎn)品展示：聚焦高速硅光&TFLN異質(zhì)集成芯片

  國(guó)科光芯重點(diǎn)展示了基于自主開發(fā)的“氮化硅+”技術(shù)平臺(tái)與TFLN異質(zhì)集成技術(shù)構(gòu)建的兩大產(chǎn)品體系，參展產(chǎn)品包括：

  硅光 Tx-PIC系列產(chǎn)品：

   TFLN/SiN異質(zhì)集成Tx-PIC系列產(chǎn)品：

  3.2T DR8 TFLN/SiN Tx-PIC

   Compatible design for one LD input drivers 4 and 8 optical lanes, with total on-chip loss 13dB and 16dB respectively

   Modulator 3dB EO bandwidth > 110GHz with Vpi < 2.2V

  1.6T DR8 TFLN/SiN Tx-PIC

   Compatible design for one LD input drivers 4 and 8 optical lanes, with total on-chip loss 13dB and 16dB respectively

   Modulator 3dB EO bandwidth > 67GHz with Vpi < 2.2V

  1.6T 2*FR4 TFLN/SiN Tx-PIC

   One LD input drives two optical lanes

    Integrated passive CWDM4 MUXs, with loss < 1dB and spectral bandwidth > 13nm

  本次展會(huì)，國(guó)科光芯聯(lián)合KEYSIGHT 現(xiàn)場(chǎng)演示1.6T DR8 Tx-PIC，搭建200G/lane硅光高頻性能測(cè)試平臺(tái)，現(xiàn)場(chǎng)展示了公司多款自研硅光芯片性能及測(cè)試結(jié)果，吸引了互聯(lián)網(wǎng)公司、設(shè)備廠商及光模塊客戶參觀咨詢。

  目前國(guó)科光芯400G/800G/1.6T硅光芯片已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，支持客戶送樣測(cè)試，歡迎行業(yè)客戶交流咨詢。

  國(guó)科光芯聯(lián)合KEYSIGHT 展出1.6T DR8 Tx-PIC Live Demo

  現(xiàn)場(chǎng)演示EVB眼圖

  展會(huì)期間，國(guó)科光芯團(tuán)隊(duì)與來自國(guó)內(nèi)外多家知名企業(yè)的專家就硅光與TFLN異質(zhì)集成技術(shù)在下一代3.2T光互連中的應(yīng)用前景進(jìn)行了深入探討。國(guó)科光芯多年深耕SiN異質(zhì)集成TFLN技術(shù)路線，向參觀交流的行業(yè)專家介紹了其核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)：

  充分發(fā)揮SiN作為光波導(dǎo)介質(zhì)的低損耗特性，以及TFLN調(diào)制器的高帶寬等性能優(yōu)勢(shì)，能夠?qū)崿F(xiàn)400G/lane及更高速率應(yīng)用的需求。同時(shí)也具有高線性度、低驅(qū)動(dòng)電壓等產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)。

  方案基于現(xiàn)有成熟的硅光工藝平臺(tái)（CMOS工藝），集成Si、SiN、Ge等多種材料，片上能夠集成探測(cè)器(MPD)，具備低成本和可量產(chǎn)性。

  眾多客戶對(duì)國(guó)科光芯在TFLN異質(zhì)集成方面的技術(shù)突破表現(xiàn)出強(qiáng)烈合作意向，尤其關(guān)注其產(chǎn)品在高帶寬、低功耗及可量產(chǎn)性等方面的表現(xiàn)，部分客戶已初步提出樣品測(cè)試與定制化開發(fā)需求。

  主題演講：硅光異質(zhì)集成技術(shù)發(fā)展與應(yīng)用

  展會(huì)期間，國(guó)科光芯數(shù)通事業(yè)部總經(jīng)理朱宇博士，于“高性能光電子集成芯片前沿技術(shù)論壇”進(jìn)行關(guān)于《硅光異質(zhì)集成技術(shù)發(fā)展與應(yīng)用》的主題演講。報(bào)告主要從硅光異質(zhì)集成技術(shù)發(fā)展的市場(chǎng)背景、技術(shù)發(fā)展歷程、商業(yè)化進(jìn)展等多個(gè)維度，介紹并分析硅光異質(zhì)集成為產(chǎn)業(yè)帶來的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和未來發(fā)展趨勢(shì)及商業(yè)化機(jī)會(huì)。

  朱宇博士認(rèn)為，硅光路線圖遵循“每代帶寬翻倍”的規(guī)律，硅光異質(zhì)集成有望解決帶寬瓶頸；

  SOI+SiN+TFLN是實(shí)現(xiàn)高帶寬、高調(diào)制效率、低損耗最有競(jìng)爭(zhēng)力的方案之一；硅光異質(zhì)集成要實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化一定要依賴成熟的工藝平臺(tái)（CMOS），并不斷改進(jìn)新的工藝平臺(tái)（鍵合、TFLN工藝線），實(shí)現(xiàn)多種材料的集成（Si、SiN、Ge、TFLN、多層金屬）。

  關(guān)于國(guó)科光芯：致力于成為基于全球領(lǐng)先硅光芯片技術(shù)的整體解決方案公司

  國(guó)科光芯成立于2019年4月，公司以新一代硅光材料——氮化硅為基礎(chǔ)，致力于成為全球領(lǐng)先的硅光芯片技術(shù)及整體解決方案提供商。2023年實(shí)現(xiàn)激光雷達(dá)產(chǎn)品100萬臺(tái)量產(chǎn)出貨，成為全球消費(fèi)類激光雷達(dá)TOP3供應(yīng)商，奠定行業(yè)基礎(chǔ)。在傳感領(lǐng)域取得初步成績(jī)的基礎(chǔ)上，公司快速布局光通信領(lǐng)域，基于自主開發(fā)的“氮化硅+”技術(shù)平臺(tái)與TFLN異質(zhì)集成技術(shù)，建立了硅光及TFLN異質(zhì)集成兩大產(chǎn)品體系，成功開發(fā)出400G/800G/1.6T硅光及TFLN/SiN異質(zhì)集成Tx-PIC產(chǎn)品。目前，公司總?cè)藬?shù)180+，其中博士15+，研發(fā)人員占比70%以上，核心骨干均來自于行業(yè)內(nèi)知名光芯片、光模塊公司，核心芯片研發(fā)團(tuán)隊(duì)深耕硅光領(lǐng)域15+年，為客戶提供高性能硅光集成芯片解決方案。

  CIOE中國(guó)光博會(huì)作為行業(yè)創(chuàng)新與交流的重要平臺(tái)，為國(guó)科光芯提供了與國(guó)際客戶面對(duì)面溝通的契機(jī)。此次展會(huì)不僅展示了公司技術(shù)實(shí)力，更增強(qiáng)了與產(chǎn)業(yè)鏈上下游的協(xié)同合作機(jī)會(huì)。

  公司未來將繼續(xù)深化硅光及TFLN技術(shù)研發(fā)，推動(dòng)高速光通信芯片的規(guī)模化應(yīng)用，為全球數(shù)據(jù)通信市場(chǎng)提供更具競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案。